一、开课单位：理学院 课程中文名称：超大规模集成电路基础
课程编号：S010246 课程英文名称：Fundamentals of VLSI
大纲审定人：马新国 大纲编写人： 贺晶
二、课程类别：[ ]必修课 [√]选修课
三、总学时：32 学分数：2
开课学期：2020-2021学年第一学期 考核方式：考查
四、授课对象：集成电路方向专业硕士
五、预备知识要求：已学完《电路基础》、《电子电路基础》、《计算机结构与逻辑设计》三门课程
六、教材及参考书目（讲义）：
教材：《VLSI设计基础》，李伟华，电子工业出版社，2013
参考书目：《数字集成电路-电路、系统与设计》，周润德，电子工业出版社，2010
七、课程简介：
本课程是集成电路专业硕士研究生选修课，通过该课程的学习，使学生掌握集成电路的基本概念，基本理论，各种基本电路结构、特性、基本原理和分析方法。了解电路优化、互联线建模和优化、信号完整性、时序分析、时钟分配、高性能和低功耗等内容。为该专业研究生完成课题研究奠定重要的理论基础。
八、教学目标：
学生学完该课程后，需掌握MOS器件基本特性、MOS基本电路、CMOS电路设计、集成电路设计与布局方法及子电路系统设计；熟悉IC设计EDA软件工具的使用；了解集成电路发展、IC制造技术、低功耗电路设计等。
九、教学内容、教学方式及学时分配：
周次 |
学时 |
教学内容（包括理论讲授、研讨、实验实践等） |
教学方式（线下、线上等） |
1 |
4 |
第1章 绪论 1.1微电子发展史 1.2 摩尔定律 1.3 系统与系统集成 1.4 VLSI设计方法 1.5 设计问题与设计工具 |
线下 |
2 |
4 |
第2章 MOS器件与工艺基础 2.1 MOS晶体管基础 2.2 CMOS逻辑部件 2.3 CMOS集成电路工艺基础 2.4 版图设计 |
线下 |
3 |
4 |
第3章 设计与工艺接口 3.1 设计与工艺接口问题 3.2 工艺抽象 3.3 电学设计规则 3.4 几何设计规则 3.5 工艺检查与监控 |
线下 |
4 |
4 |
第4章 几何设计规则阵列设计技术 4.1 晶体管阵列及其逻辑设计应用 4.2 MOS晶体管开关逻辑 4.3 PLA及其拓展结构 4.4 门阵列 |
线下 |
5 |
4 |
第5章 单元库设计技术 5.1 单元库概念 5.2 标准单元设计技术 5.3 积木块设计技术 5.4 单元库技术的拓展 |
线下 |
6 |
4 |
第6章 微处理器 6.1 系统结构概述 6.2 微处理器单元设计 6.3 存储器组织 6.4 微处理器的输入/输出单元 |
线下 |
7 |
4 |
第7章 SRAM存储器 7.1 Memory的重要性及其分类 7.2 SRAM结构 7.3 SRAM的bitcell设计 7.4 SRAM的decoder及SA设计 |
线下 |
8 |
4 |
专题研讨：集成电路低功耗设计 |
线下 |
合计 |
32 |
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其中：理论课课时：28 研讨课课时：44 实验实践环节课时：0 |
